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硼掺杂金刚石是一种新型的p型半导体材料,具有稳定性强、击穿场强高、空穴迁移率大的优势。其特别适于作为功率半导体器件的材料,亦可应用于电化学领域,具有广阔的应用前景。
化合积电所生产的硼掺杂单晶金刚石可实现低浓度到高浓度的掺杂,低浓度的掺硼金刚石具有良好的迁移率,适合作为半导体器件的主要材料;高浓度的掺硼金刚石则具有电阻率低的特点,适合作为欧姆接触的电极。
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新型P型半导体材料
稳定性强
击穿场强高
空穴迁移率大
硼掺杂单晶金刚石
B-doped single crystal diamond
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应用领域
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