随着功率芯片（如IGBT，MOSFET）电流及电压的加大，芯片开关产生的大量热流必须以散热片的高热扩散率均温及以流体（空气或液体）带走。另一方面，高速运算的芯片（如CPU,GPU）其热流也需先以散热片的热扩散率（声子）及时消除热点，然后以热沉片带走热流来勉强降低芯片温度。
由于金属（如铜，铝）的热传导率虽高，但因芯片的热膨胀率远低于金属，两者中间必须以软质材料（如铟合金，散热膏）降低应力以提高可靠度，这些TlM（Thermal Interface Material）的热传导率很低，但热容量却很大，因此会阻挡芯片热流外传，因此热点不能消除。
用低热膨胀速率的陶瓷材料（如六方氮化硼hBN）上面覆铜避免使用造成热阻的TⅠM，但这类材料乃热压成型，内含気孔，不仅挡住了热量的传导，也使热沉强度大减，甚至容易掉粉。
高功率元件可银焊在六方氮化硼压块的覆铜上，如下图所示。这种设计虽可加降低芯片温度，但却同时降低了封装的可靠度，并非最佳设计。
现在介绍金刚石热沉片的技术，首先金刚石的热传导率高于包括银，铜等的任何金属，所以热量就会迅速自芯片引出而降低芯片温度。其次金刚石不导电却可以声子（晶格振动）散热，所以是材料界热扩散率最高的。金刚石热沉片不能容忍温度梯度，会即时均温（消除温度差异）。换言之，芯片焊在金刚石热沉片后其内的热点难以存在。芯片的性能其实不是由平均温度决定的，而是由最高温处的极小热点所限制。
热点面积可以只有数十个原子，但其振动频率代表的温度却数倍于平均温度。所以金刚石热沉片可提高芯片的功率或速度，即使平均温度昇高也不损及芯片的性能。例如以金刚石消除热点，CPU的频率可以大幅提高，超频计算可容许芯片的平均温度提高而维持其可靠度。功率芯片若焊在大而厚的金刚石覆铜散热，功率可能加倍。
金刚石热沉可以化学镀后电镀加厚，或以活性合金（AMB）纤焊，前者附着力低而且比纸薄。更有甚者，电镀铜并不结晶，所以其电阻较大，发热量也高。钎焊覆铜附着极牢，加上钎焊的高温会使铜箔的晶粒快速长大。金刚石热沉片的导电率高于一般铜箔，所以电流通过时的发热量很小，可以降低芯片的平均温度。
金刚石终极功率半导体材料的禁带宽度5.47eV，具有优异的力学、电学、热学、声学和光学特性，是最具有应用前景的宽禁带半导体材料之一。化合积电凭借卓越的创新能力和雄厚的技术实力，已成为国内宽禁带半导体领域领军企业。
