ＧaN & Diamond 结合方式：

01 Diamond on GaN
在GaN HEMT结构上生长金刚石

02 GaN on Diamond
在金刚石衬底上直接外延生长GaN结构

03 GaN/金刚石键合
GaN HEMT制备完成后，转移键合到金刚石衬底上

01Diamond on GaN

化合积电采用微波等离子体化学气相沉积设备，在50.8 mm（2英寸）硅基氮化镓HEMT上实现＜10um厚度多晶金刚石材料的外延生长。采用扫描电子显微镜及X射线衍射仪对金刚石薄膜的表面形貌、结晶质量以及晶粒取向进行表征测试，结果显示：样品表面形貌较为均匀，金刚石晶粒基本表现为（111）面生长，具有较高晶面取向。在生长过程中有效避免了氮化镓（GaN)被氢等离子体刻蚀，使得金刚石镀膜前后氮化镓特性未发生明显变化。

02 GaN on Diamond

在GaN on Diamond 外延生长中，化合积电通过特殊工艺生长氮化铝AIN作为GaN外延层，化合积电目前已有产品面世：Epi-ready-GaN on Diamond（AlN on Diamond）。

03 GaN/Diamond键合

化合积电金刚石热沉片和晶圆级金刚石产品技术指标达到世界领先的水平，晶圆级金刚石生长面表面粗糙度Ra＜1nm，金刚石热沉片的热导率达1000-2000W/m.K。通过与GaN键合，也可以有效地降低器件的温度，提高器件的稳定性和寿命。