晶圆级金刚石

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超高热导率

1000-2000W/m.K

独创超精密加工

表面粗糙度Ra<1nm

满足晶圆级应用

可用于键合工艺

尺寸可定制

2/3/4inch,10*10mm……

晶圆级金刚石

✔ 热导率高达1000-2000W/m.

✔ 晶圆级金刚石生长面表面粗糙度(Ra)<1nm

✔ 高品质且成本可控

✔ 可定制化

配图1.png

金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料,优势诸多:

1.极高的热传导:热导率2200W/m.K ,室温下金刚石具有最高的热导率

2.极高的介质击穿特性:击穿电场为107V/cm,是GaAs的50倍,GaN的2倍,SiC的2.5倍

3.极高的功率容量:容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上;特别适合制作大功率电子器件

4.低的介电常数:介电常数为5.7,约为GaAs的1/2,比InP的一半还小

5.高饱和载流子速度:饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍,在电场强度增加时也维持高速率

6.高载流子迁移率:电子迁移率为4500c㎡/(V·s),高于绝大多数材料,适合制作高频电子器件


晶圆级金刚石


厚度(μm):特殊要求根据需求量可定制

体密度(g/cm3):3.3216

热传导率(W/(m*K)):TC.1200;  T.C1500;  T.C1800

热扩散系数(cm^2/s):6.6;8.2;9.9

热膨胀系数(RT-700℃)(10-6K-1):3.1962

莫氏硬度:>10

抗拉强度(Mpa):450~1100

杨氏模量(GPa):1000~1100

介电常数(1MHz):5.68

介电损耗(1MHz):6.2*10-8

体积电阻(25℃,'Ω·cm):2.95*1013

绝缘耐压(V/mA):DC 5.5KV/1.5mA

透光率:40%~65%

红外吸收系数(cm-1@1.064um):0.3979~0.1871

精抛-表面粗糙度(正面):Ra<1nm

表面粗糙度(背面):Ra<200nm

TTV:<1um(Ø25mm)

翘曲度:<1um(Ø25mm)

平面度PV(fringe@633nm):1.5fringe(Ø25mm)



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