硅基氮化铝

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摇摆曲线半峰宽

XRD(0002)<0.9°

生长面表面粗糙度

Ra<1.5nm(200nm)

助力氮化镓(GaN)

大尺寸、高质量外延生长

应用于射频器件

有效降低射频损耗

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子迁移率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优异性能,因此氮化铝是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料,也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。此外,氮化铝具有优良的压电性、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数,是GHz级声表面波器件的优选压电材料。

 

氮化铝的优势

• 直接带隙,禁带宽度6.2eV,是重要的深紫外和紫外发光材料

• 高击穿电场强度、高热导率、高绝缘性、低介电常数、低热膨胀系数、机械性能好、耐腐蚀,常用于高温高频高功率器件

• 非常好的压电性能(特别是沿C轴方向),是目前制备各种传感器、驱动器以及滤波器的最佳材料之一

• 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数,是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料

 

氮化铝具备优异的物理性能:

• 原子间以共价键相结合,化学稳定性好、熔点高;

• 机械强度高、电绝缘性能佳,是一种压电和介电材料;

• 晶体薄膜硬度高,可作为耐磨涂层;

• 高电阻率、较低的漏电流以及大的击穿场强,使得其成为微电子器件中绝缘埋层材料的最佳选择之一;

• 制备工艺与CMOS兼容,可以和其他器件集成到同一芯片上;

• 具备非铁电材料中最好的声波传播速度,且拥有无与伦比的压电响应,可用于制作高性能的声表器件;

• 是一种宽禁带材料,并具有直接带隙,是重要的蓝光和紫外发光材料;

• 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能,传声速度快,是所有无机非铁性压电材料中最高的。


化合积电成功在硅衬底上制备高质量氮化铝(AlN)薄膜,XRD(0002)摇摆曲线半峰宽<0.9°,生长面表面粗糙度Ra<1.5nm(氮化铝厚度200nm),高质量氮化铝薄膜助力氮化镓(GaN)实现大尺寸、高质量、低成本制备。


硅基氮化铝(AlN on Si-001)


基底材料(Substrate):500±10μm  Si(111)(可定制)

尺寸(inch):2、4……可定制

AlN外延厚度(Thickness):5~200nm,可定制

晶面取向(Orientation):c-aixs [0001]

表面粗糙度(nm)(5x5μm):Ra< 1.5nm (200nm)

HRXRD半高宽@(0002):<0.8°

翘曲度(Warp):<30μm

弯曲度(Bow):-10 ~15μm

包装(Packaging):单片/多片晶圆盒


应用领域

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