氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质，如其禁带宽度高达6.2eV，同时具有高击穿场强、高饱和电子迁移率、高化学和热稳定性，及高导热、抗辐射等优异性能，因此氮化铝是紫外／深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料，也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。此外，氮化铝具有优良的压电性、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数，是GHz级声表面波器件的优选压电材料。

氮化铝的优势

• 直接带隙，禁带宽度6.2eV，是重要的深紫外和紫外发光材料

• 高击穿电场强度、高热导率、高绝缘性、低介电常数、低热膨胀系数、机械性能好、耐腐蚀，常用于高温高频高功率器件

• 非常好的压电性能（特别是沿C轴方向），是目前制备各种传感器、驱动器以及滤波器的最佳材料之一

• 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料

氮化铝具备优异的物理性能：

• 原子间以共价键相结合，化学稳定性好、熔点高；

• 机械强度高、电绝缘性能佳，是一种压电和介电材料；

• 晶体薄膜硬度高，可作为耐磨涂层；

• 高电阻率、较低的漏电流以及大的击穿场强，使得其成为微电子器件中绝缘埋层材料的最佳选择之一；

• 制备工艺与CMOS兼容，可以和其他器件集成到同一芯片上；

• 具备非铁电材料中最好的声波传播速度，且拥有无与伦比的压电响应，可用于制作高性能的声表器件；

• 是一种宽禁带材料，并具有直接带隙，是重要的蓝光和紫外发光材料；

• 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，传声速度快，是所有无机非铁性压电材料中最高的。

化合积电成功在硅衬底上制备高质量氮化铝（AlN）薄膜，XRD（0002）摇摆曲线半峰宽＜0.9°，生长面表面粗糙度Ra＜1.5nm（氮化铝厚度200nm），高质量氮化铝薄膜助力氮化镓（GaN)实现大尺寸、高质量、低成本制备。