虽然网络通信（每个基站之间）系统将使用 28-30 GHz 频率范围来实现高数据交换速率，但预计 6-8 GHz 和/或高达 10 GHz 将用于个人通信蜂窝连接。在放大器方面，基于 GaN 的 HEMT 似乎是 28-30 GHz 范围内高功率/高频操作的唯一解决方案。 目前大多数主要网络系统制造商都在关注6-8 GHz频率范围内5G的相控阵（128通道）通信方法。随着频率的增加，需要减小元件尺寸，这导致对更有效的热管理的需求不断增加。CVD 金刚石具有独特的定位，不仅可以为放大器提供解决方案，还可以作为隔离器、限制器和移相器等设备的电阻元件。
毫米波市场需要能够在高输出功率水平下提供千兆赫性能的解决方案。随着 5G 工作频谱指定在 6 GHz 以上，以及高性能相控阵雷达在 X 和 Ku 频段工作，对能够在更高频率下处理高功率密度的无源元件产生了巨大的推动力。
迄今为止，氧化铍 (BeO) 和氮化铝 (AlN) 已成为高功率射频电阻器的首选基材。这些陶瓷材料具有相对较高的导热性，使电阻器在 L 和 S 波段 (1 × 4 GHz) 下工作时能够承受数十至数百瓦的功率。然而，当从 X 频段到 Ku 频段 (8·30 GHz) 运行时，最大化耗散功率和减少电阻器寄生效应之间的权衡会导致使用 BeO 或 AlN 基板时耗散几瓦的能力下降。这种高频功率管理的限制将成为扩展 S 频段以上高功率应用的瓶颈。这里提出的是一种适用于 RF 电阻器的可行解决方案，该解决方案能够使用 CVD 金刚石作为电阻器基板，在 8 GHz 以上运行，同时提供 100 W 的功率。
上图总结了影响射频电阻器中使用的不同高导热率基板性能的关键参数值。很明显，具有最高介电常数和最低热导率的 AlN 的性能比 BeO 差，而具有低介电常数和最高热导率的最佳组合的金刚石作为高频电阻基板会表现出色。金刚石的介电常数分别比 BeO 和 AlN 低约 15-35%，并且随着频率和温度的变化保持稳定，从低频到高达数十 GHz 仅变化 5%，并且从频率和温度仅变化 730 ppm/°C室温高达数百摄氏度。
在考虑热导率时，温度也很重要。在 125°C 时，AlN 和 BeO 的热导率值与室温下的性能相比降低了 30-40%。最纯的单晶金刚石的热导率可能超过 AlN 和 BeO约 10-15 倍，这大致意味着使用金刚石的电阻器应能够处理 10-15 倍的功率。当将多晶金刚石视为热导率范围为 1000 W/mK 至 1800 W/mK 的电阻基板时，性能比 AlN 和 BeO 提高 4-8 倍。
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