封装基板材料的要求是:高电阻率、高热导率、低介电常数、介电损耗、与硅和砷化镓有良好的热匹配性、表面平整度高、有良好的机械性能及易于产业化生产等。一般的封装基板有Al2O3陶瓷、SiC陶瓷、AlN材料。但是Al2O3的热膨胀系数 (7.2×10-6/℃) 和介电常数 (9.7) 相对Si单晶而言偏高, 热导率 (15-35W/ (m·K)) 仍然不够高, 导致Al2O3陶瓷基片并不适合在高频、大功率、超大规模集成电路中使用；SiC陶瓷的热导率很高,且SiC结晶的纯度越高, 热导率越大；SiC最大的缺点就是介电常数太高, 而且介电强度低, 从而限制了它的高频应用, 只适于低密度封装；AlN材料介电性能优良、化学性能稳定, 尤其是它的热膨胀系数与硅较匹配等特点使其能够作为很有发展前景的半导体封装基板材料, 但热导率目前最高也只能260W/ (m·K)，随着半导体封装对散热的要求越来越高，AlN材料也有一定的发展瓶颈。而金刚石是目前已知自然界中热导率最高的物质，金刚石的热导率为2200~2600 W/(m.K)，热膨胀系数约为1.1×10-6/℃ ，在半导体、光学等方面具备其他封装材料所达不到的优良特性。
目前，全球都在加紧金刚石在半导体领域的研制工作。其中，日本已成功研发超高纯2英寸金刚石晶圆量产方法，其存储能力相当于10亿张蓝光光盘。随着我国加快推动关键技术突破，功能金刚石材料将由实验室阶段向商业化转变。
由于金刚石具有极高的热导率、电绝缘性、硬度和化学稳定性，因此金刚石半导体可以用于制造高功率、高频率和高温环境下工作的电子器件，例如微波器件、功率放大器和高速晶体管等。
金刚石半导体可以应用于以下方面：
1.微波器件：金刚石半导体可以制造出高功率、高频率的微波器件，如微波放大器、混频器、振荡器等。
2.光电器件：金刚石半导体可以制造出高性能的光电器件，如探测器、光电二极管等。
3.高温电子器件：金刚石半导体可以制造出在高温环境下工作的电子器件，如燃气轮机控制器、高温传感器等。
4.功率电子器件：金刚石半导体可以制造出高功率、高效率的功率电子器件，如晶闸管、IGBT、MOSFET等。
5.高速电子器件：金刚石半导体可以制造出高速电子器件，如高速晶体管、快速开关等。
6.生物传感器：金刚石半导体可以制造出生物传感器，用于检测生物分子和细胞，如DNA传感器、生物电化学传感器等。
目前，金刚石半导体在新材料、新器件、新技术中的应用正处于快速发展的阶段，全球都在加紧金刚石在半导体领域的研制工作。其不断创新和发展，也为各行各业带来了更广泛的应用前景。为了加快推动高质量和大尺寸金刚石晶圆等关键技术的突破，化合积电致力于金刚石研究和生产，核心产品有多晶金刚石（晶圆级金刚石、金刚石热沉片、金刚石基异质集成复合衬底、金刚石窗口片）、单晶金刚石（热学级、光学级、电子级）和氮化铝薄膜（金刚石基氮化铝、硅基氮化铝和蓝宝石基氮化铝）等，产品应用于航空、航天、兵器和船舶等领域。公司产品的生产技术和产品质量已达到国际领先、国内先进水平，获得了客户和市场的认可。公司凭借卓越的创新能力和雄厚的技术实力，已逐步成为国内金刚石半导体材料领域主要代表企业之一。
