金刚石被认为是一种能够满足飞速发展的电子工业的理想热管理材料。1963年12月6日，我国第一颗人造金刚石研制成功，六十年以来，国内人造金刚石的产量逐年增加，小到家庭，大到微电子及航空航天等高科技领域，应用十分广泛。如今，单晶金刚石晶圆已成为人工智能、云计算芯片、电动汽车电力电子和无线通信芯片的终极新技术组件。
金刚石典型的热管理应用场景包括：金刚石增强金属封装材料（Diamond/Cu、Diamond/Al）、热沉片、金刚石衬底GaN器件等。金刚石基热沉应用于激光器的散热系统，可以实现高效的热量传输和散热，降低激光器的工作温度，提高激光器的稳定性和寿命。
金刚石作为半导体器件封装材料，具有电子封装所必需的优质性能，如高的热导率、低介电常数、高电阻和高击穿场强等。将金刚石薄膜直接沉积在具有高热导率的金属材料、复合材料或者单晶硅衬底上，或者直接将它制成无需支撑的金刚石薄膜片，再把它粘结到所需的电子封装上，CVD金刚石薄膜在封装领域的应用中展示出很好的前景。
金刚石膜作为高功率半导体激光器的过渡热沉有诸多优点，其优点如下:
(1)高热导率：在散热方面，热沉的热导率是最重要的因素。高功率芯片工作时产生的废热需要及时散掉，否则，会造成波长红移，影响寿命和稳定性。人造金刚石热导率最高可达2000W/(m·K)，是常用铜热沉的5倍左右。金刚石膜优越的热导率大大提高了散热效果。
(2)热膨胀系数匹配：金刚石膜的热膨胀系数可变，温度300K时为1x10-6/K500K时为27x10-6/K，1000K时为4.4x10-6/K，与GaAs材料匹配(4.5x106/K)，能够很好的消除热应力，减小芯片变形。
(3)电绝缘性高：金刚石膜的电阻率非常高，达到103Ω·cm，绝缘性越好。
(4)介电常数小：与其他热沉材料相比(Si的介电常数118，AIN的介电常数为8。
5)，金刚石膜的介电常数最小为5.5，有利于器件的运作，信号的传输。金刚石膜作为高功率半导体激光器的过渡热沉有诸多优点，其优点如下:
小型化轻量化的电子器件发展需求引领着散热材料和散热方案的改变，轻质高热导率成为散热材料的发展目标，金刚石已成为最优选择之一。化合积电致力于金刚石材料的研究、生产及销售，现已有晶圆级金刚石、金刚石热沉片、金刚石基异质集成符合衬底、金刚石基氮化铝等产品。
