随着应用需求的发展愈加明朗，未来对高功率器件的性能要求越来越高。虽然基于 GaN 的电子器件能够提供超高的电流和功率密度性能，但是，许多高端电子系统的故障都可以直接归因于缺乏适当的热管理。
传统的解决办法中，SiC（400 W/mK）衬底与 GaN 的集成为面向高功率应用的 GaN HEMT 和 MMIC 技术提供了最佳选择。然而，尽管使用了 SiC 衬底，但是在基于 GaN 的电子器件中，充分的散热仍然是决定最大功率耗散的限制因素。因此，长期可靠性常常是通过对最大功率耗散指标进行降额处理来实现的。采用 CVD 金刚石（2000 W/mK）作为散热片是一种好得多的散热解决方案，与目前顶尖的 GaN 器件相比，其功率密度有可能提高 3 倍或更多。
CVD 金刚石与“传统”散热材料的比较
金刚石拥有一系列引人注目的特性，因而使其成为解决热管理问题最有效的材料。 CVD（化学气相沉积）实现了对晶粒尺寸、晶粒纯度和晶粒界面的控制，可以生成高品质、高重复性的多晶金刚石，从而满足特殊应用的热导率要求。
CVD 金刚石为 5G 和其他高功率电子系统提供更有效、更小型和简易化的解决方案。将使用 CVD 工艺生长的金刚石用作高性能散热片，能够确保众多颠覆性电子元器件的有效性能，从 GaN 固态 RF X波段功率放大器（PA）到先进的 ASIC，再到激光二极管等均在其列。采用 CVD 金刚石散热片后，器件能在较高的功率级运行，并不会推高工作结温，从而可以延长使用寿命并改善可靠性。
化合积电致力于金刚石等热沉材料研究，掌握国际领先的金刚石热管理产品和解决方案，现有核心产品晶圆级金刚石、金刚石热沉片、金刚石窗口片、金刚石异质集成复合衬底等。其中，晶圆级金刚石生长面表面粗糙度Ra＜1nm；金刚石热沉片热导率高达1000-2200W/m.k，技术指标皆达世界领先水平。金刚石热沉在大功率电子器件、5G基站、新能源汽车、航空航天等诸多领域皆有应用。
