CVD金刚石热沉片

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热导率超高

1000-2000W/m·K


表面粗糙度

Ra<1nm


尺寸可定制

2/3/4inch,10*10mm等


可金属化

图形化和打孔


金刚石的优势

• 任何材料中最高的室温热导率(最高可达 2000W/m.k) 

• 可实现<1nm 生长面表面粗糙度和高平整度

• 电绝缘 

• 重量极轻

• 高机械强度 

• 化学惰性和低毒性

• 大面积可用的厚度范围 

• 广泛的金刚石结合解决方案


CVD金刚石热沉片

金刚石具有带隙宽、热导率高、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温、抗酸碱、抗腐蚀、抗辐照等优越性能,在高功率、高频、高温领域等方面发挥重要作用,被视为目前最有发展前途的宽禁带半导体材料之一。

· 国际领先的磨抛能力,实现生长面表面粗糙度 Ra<1nm

化合积电基于等离子体辅助研磨抛光的金刚石原子级表面高效精密加工方法,对于2英寸金刚石衬底,可将表面粗糙度从数十微米级别降低至1nm以下。该技术具有较高的去除效率, 能够获得原子级平坦表面, 并且不会产生亚表面损伤。目前具备金刚石超表面磨抛至Ra<1nm的厂商屈指可数,化合积电已达国际领先水平。

· 超高热导率,T.C:1000-2000 W/m.K

在热导率要求1000~2000W/m.k之间,金刚石热沉片是首选以及唯一可选热沉材料。化合积电可根据客户要求定制产品热导率,目前已推出三款标准产品:TC1200、TC 1500、TC 1800、TC2000。

· 提供厚度、尺寸、形状等定制化服务

化合积电金刚石热沉片的厚度可从 200 到 1000 微米,2022年上半年直径可实现至125mm。我们具备激光切割和抛光能力,为客户提供满足其特定要求的几何形状、表面平整度和低粗糙度,以及金属化、图形化服务。




金刚石热沉片


厚度(μm):特殊要求根据需求量可定制

体密度(g/cm3):3.3216

热传导率(W/(m*K)):TC.1200;  T.C1500;  T.C1800;TC2000

热扩散系数(cm^2/s):6.6;8.2;9.9;11.0

热膨胀系数(RT-700℃)(10-6K-1):3.1962

莫氏硬度:>10

抗拉强度(Mpa):450~1100

杨氏模量(GPa):1000~1100

介电常数(1MHz):5.68

介电损耗(1MHz):6.2*10-8

体积电阻(25℃,'Ω·cm):2.95*1013

绝缘耐压(V/mA):11KV/mm

精抛-表面粗糙度(正面):Ra<30nm (<2nm可定制)   (白光干涉仪125*125μm )

粗抛-表面粗糙度(正面):30nm-100nm 可定制       (白光干涉仪125*125μm )

表面粗糙度(背面):30nm~2μm(去硅) 可定制     (白光干涉仪125*125μm )

TTV<60um(2 inch)可定制

翘曲度 <300um(2 inch)可定制


应用领域

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