硼掺杂金刚石是一种新型的p型半导体材料，具有稳定性强、击穿场强高、空穴迁移率大的优势。其特别适于作为功率半导体器件的材料，亦可应用于电化学领域，具有广阔的应用前景。

化合积电所生产的硼掺杂单晶金刚石可实现低浓度到高浓度的掺杂，低浓度的掺硼金刚石具有良好的迁移率，适合作为半导体器件的主要材料；高浓度的掺硼金刚石则具有电阻率低的特点，适合作为欧姆接触的电极。