硼掺杂金刚石(B-doped single crystal diamond)是一种新型的p型半导体材料，亦可应用于电化学领域，具有稳定性强、击穿场强高、空穴迁移率大的优势。化合积电为了响应市场需求，推出硼掺杂单晶金刚石，可满足广大客户制备高温、大功率半导体元器件等应用需求。
化合积电所生产的硼掺杂单晶金刚石可实现低浓度到高浓度的掺杂，低浓度的掺硼金刚石具有良好的迁移率，适合作为半导体器件的主要材料；高浓度的掺硼金刚石则具有电阻率低的特点，适合作为欧姆接触的电极。
*以上均为标准参数，特殊参数可定制
化合积电深耕宽禁带半导体材料行业，用MPCVD法制备大尺寸、高品质金刚石，除了硼掺杂单晶金刚石产品，目前还有成熟产品:金刚石热沉片、金刚石晶圆、金刚石窗口片、金刚石异质集成复合衬底等，其中金刚石热沉片热导率1000-200W/(mnK)，晶圆级金刚石表面粗糙度Ra<1nm，已应用于航空航天、高功率半导体激光器、光通信、芯片散热、核聚变等领域。
