自新冠肺炎疫情爆发之后，深紫外UVC杀菌消毒市场需求大爆发，AlGaN（铝氮化镓）基UVC LED在医疗设备、白色家电、工业水处理设备、污水处理设施、食品加工与包装、生化探测等领域应用潜力巨大。当前，在低成本的衬底上生长高质量AIN薄膜是实现高效的AlGaN基UVC LED商用化过程中亟待解决的技术难题。由于AlN单晶生长极其困难，目前供应量非常有限，且成本高昂，绝大多数UVC LED厂家是采用MOCVD工艺在蓝宝石衬底上生长AlN薄膜。

化合积电聚焦关键核心技术，抢占科技创新制高点，经过大半年时间的技术攻关，在蓝宝石基氮化铝薄膜衬底材料制备中取得重大突破，不仅实现了产品质量的有效管控，大幅度提升产品品质，确保产品稳定性，还大大降低了产品成本和生产周期。

化合积电生产的AlN On Sapphire（蓝宝石基氮化铝），HRXRD<0.05°，Rq<1.2nm，该技术水平已达国际领先，目前在与UVC LED企业协同下，积极推进和探索终端应用以及合作模式。

经客户验证表明，化合积电的高品质AlN On Sapphire能够大幅提升UVC LED产品良率和稳定性，助力产品性能提升。目前化合积电AlN On Sapphire已处于小批量供货阶段，为了积极响应急剧爆发的市场需求，正在加速建设中试生产线，该产线完工后预计年产将达2万片，届时将极大满足UVC LED对高品质AlN On Sapphire的大量需求。

AlN On Sapphire表征检测

AlN On Sapphire产品参数