众所周知，金刚石半导体材料分为单晶和多晶，二者的制备要求与应用方向大有不同。
一、金刚石多晶与应用
CVD 多晶金刚石膜的制备方法，包括高功率直流电弧等离子体喷射 CVD 、热丝 CVD 及 MPCVD 等。光学级、电子级多晶金刚石膜的制备要求沉积速率理想和缺陷密度极低或可控，无电极污染放电的 MPCVD 必然成了电子级、光学级金刚石膜制备的理想方法。但多晶金刚石生长速度较慢，其晶向一致性对加加工至关重要，加工比较难。
相对于苛刻的光学级、电子级多晶金刚石膜制备、应用条件而言，多晶金刚石膜作为半导体功率器件散热的热沉应用更广，需求更大、更迫切。目前其沉淀的技术水平也较容易实现。
此外，多晶金刚石的制备成本相对于单晶金刚石的制备成本优势更加明显。近30年来 ，MPCVD 多晶金刚石膜作为热沉应用于半导体器件领域的研究从未间断，目前英寸级 Si 基多晶金刚石热沉应用于 HEMTs 器件中，器件的 RF 功率密度得到有效提高，达到23W/ mm 以上。
二、金刚石单晶与应用
与多晶金刚石相比，无晶界制约的单晶金刚石（ SCD ）的光学、电学性能更加优异，在量子通信／计算辐射探测器、冷阴极场发射显示器、半导体激光器、超级计算机 CPU 芯片多维集成电路及军用大功率雷达微波行波管导热支撑杆等前沿科技领域的应用效果突出，而制备出大尺寸高质量的 SCD 是前提。
金刚石作为晶圆，其尺寸必须要达到2英寸以上。目前制备大尺寸金刚石及晶圆的技术主要有同质外延生长、马赛克晶圆制备和异质外延生长等技术。
在微波等离子化学气相沉积 ( MPCVD) 生长技术中突破了加氮高速生长、脉冲放电高效率生长和离子注入剥离等关键技术后， 近 10 年来又实现了多方向重复的三维 MPCVD 高速外延生长 ( 生长速率 100 μm·h-1) ， 大尺寸、厚而无多晶金刚石边缘的生长和采用等离子体 CVD 在 ( H，C，N，O)系统中 200 h 无边界连续生长等创新技术。
化合积电具备MPCVD设备设计能力，国内首家掌握MPCVD制备高质量金刚石的核心工艺并实现量产，并且独创基于等离子体辅助抛光的金刚石原子级表面高效精密加工方法，晶圆级金刚石Ra<1nm，金刚石热沉片热导率1000-2000W/m.k，更有GaN on diamond 、Diamond on GaN、金刚石基氮化铝、单晶等产品，为您提供最全金刚石热管理解决方案。
