集成电路中的SHE（Self-Heating Effects，自热效应）严重影响器件的电气特性和可靠性，随着技术节点尺度缩小，晶格中声子边界散射不断增强，易生成局部热点导致晶格温度升高。随着工艺引入材料和拓扑结构的等微创新，材料内部的散热路径被极大的限制，增加了设备之间的热串扰。以上种种随着结构创新而更加严峻的散热问题将对HCI、BTI、EM电迁移等可靠性问题造成巨大挑战。
与作为新一代功率半导体的碳化硅(SiC)产品和氮化镓(GaN)产品相比，金刚石半导体耐高电压等性能更出色，电力损耗被认为可减少到硅制产品的五万分之一，同时耐热性和抗辐射性也很强。金刚石带隙宽度高达5.5eV，远超氮化镓、碳化硅等材料，载流子迁移率也是硅材料的3倍，在室温下本征载流子浓度极低，且具备优异的耐高温属性。
金刚石在禁带宽度(Band Gap)、电子迁移度、热传导率等诸多方面远远出色于其他半导体材料。与已经实现商用的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）相比，金刚石具有出色的特性，因此被誉为“终极半导体材料”。
金刚石也是良好的散热器。凭借更少的耗散损耗、更好的散热能力以及在高温下运行的能力，由金刚石有源器件制成的转换器比基于 Si 的解决方案轻 5 倍，体积小 5 倍，比基于SiC的解决方案轻 3 倍，体积小 3 倍。
化合积电采用MPCVD法制备高质量金刚石热沉片，并独特研发基于等离子体辅助研磨抛光的金刚石原子级表面高效精密加工方法。核心产品有金刚石热沉片、金刚石基氮化镓、单晶金刚石和氮化铝薄膜等，产品可应用于5G基站、激光器、医疗器械、大功率LED、新能源汽车、新能源光伏、航空航天和国防军工等领域。
