岗位职责：
1、工艺开发与整合：主导或参与基于金刚石衬底的半导体器件工艺开发与整合，包括但不限于镀膜、光刻、刻蚀、金属化、封装等关键工艺模块。
2、器件表征与建模：利用多种分析手段（如 SEM, AFM, Raman, XRD， 霍尔效应测试， I-V/C-V 测试、探针台等）对工艺后的薄膜、图形化结构及初代器件的电学、光学和热学性能进行深入表征，建立“工艺参数-器件性能”的关联模型。
3、应用导向研发：面向高功率电子器件、高频微波器件、高效散热模组或量子传感器等具体应用，进行金刚石基半导体器件的设计辅助、工艺实现与性能评估。
4、跨学科协作：与材料生长团队、器件设计团队、应用客户紧密协作，将材料特性转化为工艺要求，解决从工艺到器件集成中的关键技术问题。
5、技术前瞻：跟踪国内外金刚石半导体器件工艺领域的最新科研与产业动态，撰写技术报告，参与制定公司技术发展规划。
6、知识产权贡献：撰写高质量技术报告，申请发明专利，形成公司的核心技术。
任职要求：
1、学历与专业：已获得或即将获得物理学、凝聚态物理、材料物理、微电子学。与固体电子学、半导体物理与器件等相关专业的博士学位。具有半导体器件工艺研发经验者优先。
2、经验要求：具有半导体器件工艺研发或集成经验，熟悉半导体前道或后道工艺流程。有宽禁带半导体（如氮化镓、碳化硅）或超宽禁带半导体（如金刚石）器件工艺经验者尤佳。熟悉光刻、刻蚀、镀膜、测试等环节。
3、技能要求：具备出色的实验设计、数据分析与解决问题能力。熟悉半导体工艺设备操作及相关仿真软件（如 TCAD）者优先。能熟练阅读英文文献，撰写技术文档。
4、素质要求：对技术创新有浓厚兴趣，具备优秀的团队协作精神、严谨的科学态度和强大的抗压能力。年薪范围：30-45 万，优秀者面议。
