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超高热导率
1000-2000W/m.K
独创超精密加工
表面粗糙度Ra＜1nm
满足晶圆级应用
可用于键合工艺
尺寸可定制
2/3/4inch,10*10mm……
晶圆级金刚石
✔ 热导率高达1000-2000W/m.
✔ 晶圆级金刚石生长面表面粗糙度（Ra)＜1nm
✔ 高品质且成本可控
✔ 可定制化
金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料，优势诸多：
1.极高的热传导：热导率2200W/m.K ，室温下金刚石具有最高的热导率
2.极高的介质击穿特性：击穿电场为107V/cm，是GaAs的50倍，GaN的2倍，SiC的2.5倍
3.极高的功率容量：容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上；特别适合制作大功率电子器件
4.低的介电常数：介电常数为5.7，约为GaAs的1/2，比InP的一半还小
5.高饱和载流子速度：饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍，在电场强度增加时也维持高速率
6.高载流子迁移率：电子迁移率为4500c㎡/（V·s），高于绝大多数材料，适合制作高频电子器件
晶圆级金刚石
厚度（μm）：特殊要求根据需求量可定制
体密度（g/cm3）：3.3216
热传导率（W/(m*K)）：TC.1200; T.C1500; T.C1800
热扩散系数（cm^2/s）：6.6；8.2；9.9
热膨胀系数（RT-700℃）（10-6K-1）：3.1962
莫氏硬度：＞10
抗拉强度（Mpa）：450~1100
杨氏模量（GPa）：1000~1100
介电常数（1MHz）：5.68
介电损耗（1MHz）：6.2*10-8
体积电阻（25℃，'Ω·cm）：2.95*1013
绝缘耐压（V/mA）：DC 5.5KV/1.5mA
透光率：40%~65%
红外吸收系数（cm-1@1.064um）：0.3979~0.1871
精抛-表面粗糙度（正面）：Ra＜1nm
表面粗糙度（背面）：Ra＜200nm
TTV：＜1um（Ø25mm）
翘曲度：＜1um（Ø25mm）
平面度PV（fringe@633nm）：1.5fringe（Ø25mm）
应用领域
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