金刚石为超宽禁带半导体，掺杂可调控其电学性质，推动其在电子器件应用领域产业落地。近年来，化合积电成功推动硼掺杂单晶金刚石稳定供货，更重磅推出氮掺杂单晶金刚石新品，积极响应国内外科研团队在金刚石器件前沿探索中对高质量单晶金刚石的迫切需求。
氮掺杂单晶金刚石，n型掺杂新品上线
氮掺杂单晶金刚石集超高热导率、高纯度NV中心、低缺陷晶体层等核心性能于一体，可广泛应用于高功率电子、量子信息、生物成像与高端光子学等领域。化合积电在氮掺杂单晶金刚石的技术研发上持续发力，已实现浓度可控、可定制化的氮掺杂工艺，匹配客户对电学、量子及光学性能的严苛需求。
检测结果
在不同深度状态下均具有均匀的氮掺杂浓度，提供定制化的氮掺杂方案
金刚石拉曼峰精准位于1332cm-1标准特征峰处，无明显偏移
具有较强浓度的NV中心特征峰
掺氮金刚石表面粗糙度：Ra 0.711 nm
硼掺杂单晶金刚石，p 型半导体的卓越代表
化合积电成功实现硼掺杂单晶金刚石从浓度（1015 cm-3）到高浓度掺杂（1020 cm-3）大范围调控，产品已通过技术验证并稳定交付。公司也将持续迭代金刚石的掺硼性能，推进p型金刚石的突破，为金刚石器件研发与应用打开无限可能。
化合积电通过持续的产品创新，大幅加速了金刚石器件的研发与应用进程，为突破传统半导体瓶颈提供了核心支撑。展望未来，化合积电将持续深耕金刚石技术创新，以更前沿的技术研发、更优质的产品供给，持续赋能金刚石半导体研究与产业化落地，为金刚石半导体研究进程注入源源不断的强劲动能！
