自20世纪50年代开始，以硅(Si)、锗(Ge)为主的第一代半导体材料使用至今已有70余年，时至今日，仍有95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路由硅材料制作，但因硅自身的物理性质缺陷，限制了其在高频功率器件上的应用。而以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料虽然在二十世纪末风靡一时，但因其价格昂贵，且具有毒性，使得其应用受到很大的局限性。现如今，以金刚石材料为代表的第四代半导体材料也将取代第三代半导体材料碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），金刚石材料已然成为目前优先考虑研发应用的“终极半导体材料”。
作为第四代半导体材料，金刚石材料具备高热导率、高击穿电场、高载流子迁移率、高载流子饱和速率和低介电常数等优异的特性，满足现代电子技术对高温、高压、高功率、高频率以及抗辐射等恶劣条件的要求，已是业界公认的“终极半导体材料”。
鉴于金刚石在室温下拥有最高热导率，因此，热沉是其最为重要的应用之一，金刚石热沉片可应用于电力电子器件、固体微波功率器件的优良的热沉材料，使器件的工作温度、工作功率得到极大的提升。以氮化镓（GaN）功率器件为例，采用高热导率金刚石作为高频、大功率氮化镓（GaN）器件的热沉，可以降低氮化镓（GaN）大功率器件的自加热效应，并有望解决随总功率增加、频率提高出现的功率密度迅速下降的问题。国际知名的雷神公司已经采用金刚石作为热管理材料，消散由诸如GaN高电子迁移率场效晶体管这类高功率器件所产生的大量热负荷，因为高结点温度会降低射频器件性能并且降低其可靠性。
在热沉应用领域，我们为工业用户提供1000-2000W/m·K热导率的金刚石热沉片。这种级别的CVD金刚石散热材料特别适用于高功率密度射频（RF）和专用集成电路（ASIC）器件的热管理。
