CVD金刚石的外观、成分与天然金刚石几乎一样，物理、化学特性也没有太大不同，在肉眼下，两者看不出任何区别。不过CVD金刚石之所以受重视，最主要的原因就是“纯”，它与天然金刚石相比更加地干净，几乎没有任何杂质。且具有极高的击穿电场、极高的饱和载流子速度及迁移率、低的介电常数等优异的电学性质。因此CVD金刚石材料目前已在半导体领域中独占鳌头。
目前，目前国内使用的CVD金刚石沉积技术主要有四种，分别是热丝化学气相沉积(hot filament CVD，HFCVD)、直流辅助等离子体化学气相沉积(direct current plasma assisted CVD，DC-PACVD，也称作热阴极化学气相沉积)、微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma CVD，MPCVD)以及直流电弧等离子体喷射化学气相沉积(DC Arc Plasma Jet CVD)等。
MPCVD法是当前世界上研究和制备金刚石及薄膜的主流方法。MPCVD法一般采用金属作腔体，由于其微波能量无污染、气体原料纯净、没有催化剂和杂质的掺入等优势，使得金刚石的质量得到改善，在众多金刚石制备方法中脱颖而出，由于CVD法合成金刚石打破了设备对衬底尺寸的限制，为大面积单晶金刚石生长提供条件，成为制备大尺寸、高品质单晶金刚石最有发展前景的技术之一，这也大大拓展了金刚石材料在高技术领域的应用潜力。
MPCVD法也可以制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量金刚石薄膜，适合在各种曲面（异形表面）上涂覆金刚石薄膜，能制备各种不同需要的金刚石薄膜制品。并且可以原位实施基体与金刚石薄膜之间的中间层的多种不同处理工艺，适用性强。设备具有使用操作简便，能长期稳定运行，生产的重复性好，能耗低，运行成本低的优点。
金刚石要应用于半导体产业，前提就是生产出尺寸较大的单晶材料，因此通过改进制备工艺生产出尺寸更大的CVD金刚石就是该产业目前主要的发展目标。随着制造技术的进步和成本的降低，人工合成金刚石有望引发新一代半导体技术的革命。
CVD法制备的工业金刚石因其高硬度、强导热率与红外透光率等优异性能，未来有望在军事上有诸多用途。如用于抗热冲击、耐高温的导弹整流罩；红外透光率高、激光折射损耗度低的红外光学窗口；高强度、高硬度等性能可用于单兵防弹衣以及坦克、舰艇等外层防护层等。
化合积电一直致力于采用MPCVD生产高质量、大尺寸、低成本的金刚石，现已有金刚石热沉片、金刚石窗口片、金刚石晶圆衬底、金刚石基异质集成方案等，公司的核心产品已达国际领先水平，欢迎进行沟通洽谈！
