自2003年美国Felix Ejeckam发明了金刚石上的GaN，以有效地从GaN晶体管中最热的位置提取热量，至今已过去十余年，GaN&Diamond结合经过多种探索和研究，归纳起来有三种方式（如下图）：(1) 将金刚石键合到 GaN 晶片或直接键合到有/没有粘附层的 HEMT 器件；(2) 在单晶或多晶金刚石衬底上的 GaN 外延生长，然后制造 HEMT 器件， (3) 在 GaN 或 HEMT 器件的正面或背面上生长纳米晶或多晶金刚石。
用于 HEMT 器件的金刚石基 GaN 晶片的制造。
S：源极，D：漏极，G：栅极。
近日，在氮化镓（GaN）—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展，这一成果是由中国微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作。该项研究创新地使用了表面活化键合法（SAB），以纳米非晶硅为介质在室温下达成了氮化镓—金刚石键合，系统揭示了退火中键合结构的界面行为及其影响热导和热应力的机理，发现了纳米非晶硅层在退火中再结晶从而降低界面热阻的现象，展现了该键合技术在热导、热应力控制及可靠性方面的明显优势。
为实现高可靠性、大功率密度的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)的系统小型化，将GaN集成在金刚石基底上的GaN-diamond异质集成方法受到广泛关注。目前实现该异质集成结构主要有外延生长和键合两种方法，相较于外延生长存在热应力、热损伤和低界面热导层等问题，键合技术因具有高热导、低热应力的优势，作为器件优先工艺颇具前景，通过表面活化法在室温下获得的GaN-diamond异质键合结构，其界面热导已与外延生长法制备的水平相当。然而，室温下获得的GaN-diamond异质键合结构，其高温下的热稳定性研究尚不彻底，而该稳定性对后续器件的外延生长及刻蚀的影响至关重要，此外，介质层对键合结构的热导影响也应得到重视，以期找到最优化的溅射沉积厚度。
本研究通过溅射沉积纳米非晶硅层结合离子束表面活化方法达成了GaN在金刚石上的异质集成，采用时域热反射（TDTR）和透射电镜对不同厚度纳米非晶沉积层样品的键合界面在退火前后进行了测试与表征，深度剖析了其成分与组织的演变行为及其对界面热导的影响。研究发现，虽然较薄纳米非晶硅层在室温键合后有较低热阻，但由于高温退火对非晶层的消除，以及不同厚度非晶硅层在元素偏聚、结晶度和内应力上的差异，高温退火后，较厚的非晶硅层反而具有更低的热阻。此外，拉曼光谱检测显示，退火前后金刚石衬底上GaN层的热应力分别低于30 MPa及230 MPa。
研究以《A Novel Strategy for GaN-on-Diamond Device with a High Thermal Boundary Conductance》为题发表在《Journal of Alloys and Compounds》（Volume 905, 5 April 2022, 164076；DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.164076）。
