算力革命浪潮下，AI芯片、5G/6G 射频芯片、新能源汽车驱动芯片等高端器件向更高功率、更高集成度、更小尺寸演进，同时热管理成为制约半导体产业升级的核心卡点。而金刚石作为自然界天然存在的最硬的物质，具有超高热导率、带隙宽、高刚度、耐磨性能好、抗腐蚀等多种优势，在热管理方面扮演重要角色，同时也被视为目前最有发展前途的宽禁带半导体材料之一。
芯片级散热方案
5G/6G 射频芯片低损耗散热：采用高纯度 CVD 金刚石热沉片打造 “无绝缘层直接贴合” 散热方案，即利用金刚石 5.47 eV 宽禁带带来的超高电绝缘性和低介电损耗特性，将金刚石热沉片直接贴合在射频芯片有源区表面/背面，省去额外绝缘层；同时依托化合积电核心工艺——单晶金刚石、多晶金刚石的超光滑表面，实现与 GaN 晶圆的高良率键合，在高效散出射频功放高热的同时，不干扰高频信号传输，助力芯片散热，促射频器件向更高频率、更高功率演进。
系统级散热方案
金刚石-铜复合材料+微通道散热：即以金刚石-铜复合材料为过渡热沉，搭配微通道散热结构集成设计。此种方案可既快速传导器件高功耗产生的热量，又通过热膨胀匹配性减少芯片长期工作的热应力损伤。为客户提供解决高功耗 AI 芯片 “散热瓶颈制约算力释放” 核心问题的方法，保障芯片长期可靠性，助力算力基础设施向 “高密度、低功耗” 升级。
金刚石衬底+液冷背板：主要通过金刚石衬底制备与集成（通过CVD气相沉积法生成金刚石薄膜；接着在非金刚石材料上沉积金刚石层和在金刚石衬底背面沉积一层薄的金属粘接层；最后直接粘接至液冷背板）、液冷背板与微通道加工（主要是在液冷背板的内壁镀覆一层金刚石涂层以提高背板的耐腐蚀性和增强换热效率）和热界面材料连接（即使用液态金属作为金刚石衬底与液冷背板之间的导热界面材料）三个步骤实现。此种应用方案可在高性能AI芯片、高功率器件、卫星通信、航空航天雷达等多领域实现高效散热，为客户在高端科技行业的突破提供有力支持。
化合积电（厦门）半导体科技有限公司作为一家专注于宽禁带半导体材料研发、生产和销售的国家高新技术企业，不只是高品质金刚石热沉材料的提供者，更致力于以全链条金刚石热管理技术创新为核心，为国内外客户提供覆盖“材料-产品-方案”的一体化服务体系，为高端芯片散热难题提供解决方案。
